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产品简介:
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| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF NPN 5.5V 35MA 4TSFP射频双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Infineon Technologies BFP 420F H6327- |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/bfp420f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b291f205c5&fileId=db3a30431400ef6801142763e30d0755 |
| 产品型号 | BFP 420F H6327 |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 60 @ 5mA,4V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | 4-TSFP |
| 其它名称 | BFP 420F H6327-ND |
| 功率-最大值 | 160mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 1.1dB @ 1.8GHz |
| 增益 | 19.5dB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-SMD,扁平引线 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 5.5V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 35mA |
| 类型 | RF Bipolar Small Signal |
| 系列 | BFP420 |
| 零件号别名 | BFP420FH6327XTSA1 SP000745268 |
| 频率-跃迁 | 25GHz |